芯片失效分析（FA测试）

　　芯片失效分析测试项目：

　　光学检查(VI/OM)；

　　扫描电镜检查(FIB/SEM)；

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；

　　微探针测试(Micro-probe)；

　　聚焦离子束微观分析(Dualbeam-FIB)；

　　弹坑试验(cratering)；

　　芯片开封(decap)；

　　芯片去层(delayer)；

　　晶格缺陷试验(化学法)；

　　PN结染色/码染色试验；

　　推拉力测试(WBP/WBS)；

　　红墨水试验；PCBA切片分析(X-section)；

　　GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

　　芯片可靠性验证(RA)：

　　芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；

　　温度循环试验(TC),JESD22-A104；

　　温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；

　　高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片静电测试(ESD)：

　　人体放电模式测试(HBM),JS001；

　　元器件充放电模式测试(CDM),JS002；

　　闩锁测试(LU),JESD78；

　　TLP；Surge/EOS/EFT；

　　芯片材料分析：

　　高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

　　SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；

　　Raman(Raman光谱)；AFM(微观表面形貌分析、台阶测量)；

　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更**、更可靠的AEC-Q认证试验服务。

　　芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

　　芯片测试业务咨询及技术交流：