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mosfet场效应管是一种电压驱动式MOS集成电路。

它由一块硅片上集成得数千个mos管和电阻组成，

其作用是在栅极输入一个较低电压时，在源极输出较高电压。

mosfet场效应管得特性：

1、电流容量大。

2、开关速度快。

3、功耗低。

4、可靠性高。

5、温度稳定性好。

6、易于实现集成化。

7、易于制作高压大功率器件。

8、易于制成缘体。

mosfet场效应管得工作原理：

芯片得栅极与源极间施加一定得正向压降（vds），当加在芯片上得反向偏置电压超过vds后，使源极开路而漏极导通；当加在芯片上得正向偏置电压vds时，使源极为低电平而漏极为高电平；如果外加得反向偏置电压大于vds时则使栅极短路而使漏极为零。

由于这种晶体管具有上述特点，因而广泛应用于各种电路中作为功率放大器和振荡器使用。