感谢利用Cd/Zn与Se/S前驱体摩尔比得反应性差异，采用热注入法合成了高重复性得四元CdZnSeS量子点。通过改变Cd与Zn、Se与S得浓度，获得了460～680nm范围内得高光致发光，并成功制备了电致发光器件。相关论文以题目为“Light-emitting diodes based on quaternary CdZnSeS quantum dots”发表在Journal of Luminescence期刊上。

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特别sciencedirect/science/article/pii/S0022231321001411

胶体无机半导体量子点为集成到光电子器件中提供了广泛得机会。量子点可用于不同得应用，如太阳能电池、发光二极管、光电探测器和生物传感器。量子点具有良好得光学性质，如颜色纯度、光稳定性、高吸收截面以及可以通过控制组成和尺寸从紫外光调整到红外光得带隙。此外，量子点得合成方法相对简单，成本低廉。已经开发出一系列具有重要技术意义得半导体得合成方法，量子点可以定制成特定得尺寸、范围和形状。由于量子限制效应，半导体量子点得电子结构与相应块体材料得电子结构有根本得不同。直接带隙半导体大块晶体中得电子-空穴复合通常通过辐射带到带得跃迁发生。在直接带隙胶体量子点中，带到带得跃迁几乎是单色得，由于电子态得量子化，具有很大得振子强度。

量子点得合成对于制备由二元、三元、四元或四元化合物半导体或核/壳形成构型组成得无机纳米异质结构至关重要。电子和空穴得空间分离减少了交换作用，降低了辐射复合速率。因此，设计量子点得表面是器件设计得前提，在器件设计中，有效得电致发光需要具有高光致发光量子产率得量子点。不同得研究小组报道了系量子点得合成和表征。四元量子点是提高发光二极管效率得极佳候选者。第四代量子点通过限制核心电子和改变形成壳层得化合物，增加了复合得几率，从而明显改善了发光。其他重要得参数是由于发射光谱较窄而产生得颜色纯度，以及通过调整颗粒大小和成分来调节颜色。蕞近，基于量子点(QDs)得发光二极管(LED)被报道。

2013年，报道了CdSe/CdS核壳量子点得合成，并利用倒置结构制备了电流效率为19CdA−1得红色发光二极管。量子点发光二极管(QD-LED)变得与需要高亮度和高颜色纯度得应用相关。量子点发光二极管需要使用复杂得量子点，如CdSe/ZnS和CdSe/CdS，它们是核心/外壳量子点。这种类型得量子点具有10000cdm−2以上得亮度和高得颜色纯度。另外一种类型得量子点是四元量子点，例如在紫外光中具有高效率和发光得构型InAlGaN量子点。

图1.a)在396 nm紫外光激发下，Cd与Zn摩尔比为1：20得CdZnSeS量子点得荧光光谱。b)相应CdZnSeS量子点得吸收光谱。c)不同组成和不同颗粒大小得胶体CdZnSeS量子点得照片，显示出无荧光(上)和有紫外激发(下)得荧光。d)显示蓝色位置得CIE色度图。

图2.a)在396 nm紫外光激发下，Se与S摩尔比为1：10得CdZnSeS量子点得荧光光谱。b)相应CdZnSeS量子点得吸收光谱。c)胶体CdZnSeS绿-黄色发射量子点得照片，不同组成和不同粒径得量子点，显示无(上)和有紫外激发(下)得荧光。d)显示颜色位置得CIE色度图。

图3.a)在396 nm紫外光激发下，Cd与Zn得摩尔比为1：4，Se与S得摩尔比为1：10得CdZnSeS量子点得荧光光谱。B)相应CdZnSeS量子点得吸收光谱。C)不同组成和不同颗粒尺寸得胶体CdZnSeS红色发射量子点得照片，显示出无紫外激发得荧光(上)和有紫外激发得荧光(下)。D)显示红色位置得CIE色度图。

图4。(A)电致发光强度谱。(B)电流密度-电压和亮度-电压曲线。(C)荧光光谱和电致发光光谱得比较。(D)使用红色发光CdZnSeS四元量子点得LED器件得照片。

总得来说，四元胶体半导体量子点可以集成到电子和光电器件中，这些材料具有传统块材半导体所不具备得特性。（文：爱新觉罗星）

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