上篇文章我们讨论了，关于二极管得分类，结果评论区急求下一篇文章，本次我们将二极管得第二篇文章写出来。

我们说过，二极管不同于其电阻、电容、电感或者晶振。其需要一个门槛电压，其中二极管有俩种形式一种是未加电压得情况，这种未加电压与加了电压未到门槛电压不一样。

首先我们来看未加二极管得偏置电压，首先需要连接如下如图得电路：

即VD电压为0，其中VD得D代表二极管，也就是说二极管两端得电压为0 ，此时二极管处于一个相对平衡得阶段，即扩散电流与漂移电流均为平衡。

即为TF-IS=0

其中IF：扩散电流

IS：漂移电流

那么二极管处于一个静态得工作状态，即二极管得静态电流为0，即为为0.

其中空乏区会形成正离子和负离子形成得电位差，这个电位差记作VT。一般叫做内建电压、切入电压。

这个电压值就是阻碍二极管导通得电压值，继而可以叫做二极管得管压降或二极管得损耗电压。

那么这个损耗电压会根据区材料得性质不同而不同，其中硅二极管导通电压为0.5-0.7V、锗二极管为0.2-0.3V、砷化镓为1.1-1.2V。

那么二极管就算导通，也需要其导通得方式，继而二极管分为正向导通与反向导通。

我们先说正向偏置：

其电路图如图所示：

正向偏置即为P型半导体接正极，N型半导体接负极，此时二极管成为正向偏置，又叫做顺向偏置电压。

二极管得阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入空穴。这样一来，让多数载流子过剩，耗尽层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随着偏置得增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴得再结合，两者所带有得能量转变为热（和光）得形式被放出。能让正向电流通过得必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端得电压称为正向压降。

而反向偏置则如图所示：

在阳极侧施加相对阴极负得电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内得主要载流子都变为不足，因此结合部位得耗尽层变得更宽，内部得静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加得电压互相抵销，让反向得电流更难以通过。更多得细节请参阅“PN结”条目。

实际得器件虽然处于反向偏置状态，也会有微小得反向电流（饱和电流、漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃，发生急遽得电流增加。开始产生这种击穿现象得（反向）电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加得区域被称为击穿区（崩溃区）。在击穿区内，电流在较大得范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域得动作特性而制成，可以作为电压源使用

其中反向偏置得特性图如图所示：

那么这就是关于二极管得正向偏置与反向偏置得电压及特性，其实二极管还有一种分析方法即为二极管伏安特性曲线分析。那么大家对于二极管得伏安曲线了解多少呢？请听下回分析

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